RZF013P01TL
RZF013P01TL
Modello di prodotti:
RZF013P01TL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13508 Pieces
Scheda dati:
RZF013P01TL.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TUMT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):800mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-SMD, Flat Leads
Altri nomi:RZF013P01TLTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:RZF013P01TL
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

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