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PMWD30UN,518
- Modello di prodotti:
- PMWD30UN,518
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14701 Pieces
- Scheda dati:
- PMWD30UN,518.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 700mV @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-TSSOP |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2.3W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi: | 568-2364-1 PMWD30UN518 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMWD30UN,518 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1478pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A |
| Email: | [email protected] |
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