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NTHD2102PT1G
- Modello di prodotti:
- NTHD2102PT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14127 Pieces
- Scheda dati:
- NTHD2102PT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTHD2102PT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTHD2102PT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | ChipFET™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | NTHD2102PT1GOS NTHD2102PT1GOS-ND NTHD2102PT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTHD2102PT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 715pF @ 6.4V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 2.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 8V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.4A |
| Email: | [email protected] |
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