PMDPB95XNE,115
PMDPB95XNE,115
Modello di prodotti:
PMDPB95XNE,115
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17910 Pieces
Scheda dati:
PMDPB95XNE,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:DFN2020-6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max:475mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:568-10764-2
934067055115
PMDPB95XNE,115-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:PMDPB95XNE,115
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 475mW Surface Mount DFN2020-6
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.4A
Email:[email protected]

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