FDR8305N
Modello di prodotti:
FDR8305N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15608 Pieces
Scheda dati:
FDR8305N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-8
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:22 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Potenza - Max:800mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Gull Wing
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDR8305N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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