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BSZ15DC02KDHXTMA1
- Modello di prodotti:
- BSZ15DC02KDHXTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14157 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSZ15DC02KDHXTMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSZ15DC02KDHXTMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.4V @ 110µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSZ15DC02KDHXTMA1-ND BSZ15DC02KDHXTMA1TR SP000961028 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 419pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel Complementary |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A, 3.2A |
| Email: | [email protected] |
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