NVMD6P02R2G
Modello di prodotti:
NVMD6P02R2G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12165 Pieces
Scheda dati:
NVMD6P02R2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Potenza - Max:750mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:NVMD6P02R2G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A
Email:[email protected]

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