IRFHM792TRPBF
Modello di prodotti:
IRFHM792TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14355 Pieces
Scheda dati:
IRFHM792TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 10µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:195 mOhm @ 2.9A, 10V
Potenza - Max:2.3W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:SP001554848
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFHM792TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:251pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.3nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.3A
Email:[email protected]

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