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CSD75208W1015
- Modello di prodotti:
- CSD75208W1015
- fabbricante:
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19203 Pieces
- Scheda dati:
- CSD75208W1015.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-DSBGA |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 68 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 750mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Altri nomi: | 296-38339-2 CSD75208W1015-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CSD75208W1015 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 410pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CSD75208W1015
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
CSD75205W1015 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA | Inchiesta |
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CSD75207W15 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA | Inchiesta |
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CSD75208W1015T | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP | Inchiesta |
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CSD75211W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA | Inchiesta |
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CSD75204W15 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA | Inchiesta |
|
CSD75301W1015 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA | Inchiesta |
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PMCXB900UE | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN | Inchiesta |
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