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NVD5862NT4G-VF01
- Modello di prodotti:
- NVD5862NT4G-VF01
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16653 Pieces
- Scheda dati:
- NVD5862NT4G-VF01.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.7 mOhm @ 48A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 4.1W (Ta), 115W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | NVD5802NT4G-VF01 NVD5862NT4G NVD5862NT4G-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NVD5862NT4G-VF01 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 18A (Ta), 98A (Tc) 4.1W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta), 98A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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