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NVD5802NT4G-VF01
- Modello di prodotti:
- NVD5802NT4G-VF01
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16209 Pieces
- Scheda dati:
- NVD5802NT4G-VF01.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | NVD4856NT4G-VF01 NVD5802NT4G NVD5802NT4G-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 34 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NVD5802NT4G-VF01 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5300pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16.4A (Ta), 101A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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