IRF6706S2TRPBF
IRF6706S2TRPBF
Modello di prodotti:
IRF6706S2TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14875 Pieces
Scheda dati:
IRF6706S2TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET S1
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:3.8 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 26W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric S1
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF6706S2TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1810pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 63A (Tc)
Email:[email protected]

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