NVD5407NT4G
NVD5407NT4G
Modello di prodotti:
NVD5407NT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15472 Pieces
Scheda dati:
NVD5407NT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.9W (Ta), 75W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:STD5407NT4G
STD5407NT4G-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NVD5407NT4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 32V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 7.6A (Ta), 38A (Tc) 2.9W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.6A (Ta), 38A (Tc)
Email:[email protected]

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