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RQ6C050UNTR
- Modello di prodotti:
- RQ6C050UNTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12741 Pieces
- Scheda dati:
- RQ6C050UNTR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per RQ6C050UNTR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per RQ6C050UNTR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT6 (SC-95) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | RQ6C050UNTRTR RQ6C050UNTRTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RQ6C050UNTR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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