NVB5405NT4G
NVB5405NT4G
Modello di prodotti:
NVB5405NT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18853 Pieces
Scheda dati:
NVB5405NT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.8 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 150W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NVB5405NT4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 32V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:88nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 16.5A (Ta), 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16.5A (Ta), 116A (Tc)
Email:[email protected]

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