FDT86102LZ
Modello di prodotti:
FDT86102LZ
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15393 Pieces
Scheda dati:
1.FDT86102LZ.pdf2.FDT86102LZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223-4
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:28 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:FDT86102LZ-ND
FDT86102LZFSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDT86102LZ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1490pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A (Ta)
Email:[email protected]

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