NDFPD1N150CG
NDFPD1N150CG
Modello di prodotti:
NDFPD1N150CG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13475 Pieces
Scheda dati:
NDFPD1N150CG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:150 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta), 20W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:NDFPD1N150CGOS
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:NDFPD1N150CG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1500V (1.5kV) 100mA (Ta) 2W (Ta), 20W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1500V (1.5kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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