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NTMD6N03R2
- Modello di prodotti:
- NTMD6N03R2
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13465 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD6N03R2.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMD6N03R2, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMD6N03R2 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.29W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD6N03R2OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMD6N03R2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 24V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
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