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NTMD6N02R2
- Modello di prodotti:
- NTMD6N02R2
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 16768 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD6N02R2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 730mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMD6N02R2OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMD6N02R2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.92A |
| Email: | [email protected] |
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