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NTMD6601NR2G
- Modello di prodotti:
- NTMD6601NR2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17083 Pieces
- Scheda dati:
- NTMD6601NR2G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTMD6601NR2G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTMD6601NR2G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 215 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Potenza - Max: | 600mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTMD6601NR2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
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