NTLJD4150PTBG
NTLJD4150PTBG
Modello di prodotti:
NTLJD4150PTBG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19449 Pieces
Scheda dati:
NTLJD4150PTBG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-WDFN (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:135 mOhm @ 4A, 10V
Potenza - Max:700mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTLJD4150PTBG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A
Email:[email protected]

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