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NTLJD2105LTBG
- Modello di prodotti:
- NTLJD2105LTBG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13852 Pieces
- Scheda dati:
- NTLJD2105LTBG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WDFN (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 520mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTLJD2105LTBG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 8V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.5A |
| Email: | [email protected] |
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