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NTLJD3115PT1G
- Modello di prodotti:
- NTLJD3115PT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19747 Pieces
- Scheda dati:
- NTLJD3115PT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-WDFN (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 710mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | NTLJD3115PT1G-ND NTLJD3115PT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTLJD3115PT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 531pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTLJD3115PT1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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NTLJD3181PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN | Inchiesta |
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