NTB90N02T4G
NTB90N02T4G
Modello di prodotti:
NTB90N02T4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18387 Pieces
Scheda dati:
NTB90N02T4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.8 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:NTB90N02T4GOS
NTB90N02T4GOS-ND
NTB90N02T4GOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:NTB90N02T4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2120pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 24V 90A (Ta) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione:MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Ta)
Email:[email protected]

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