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FQB630TM
- Modello di prodotti:
- FQB630TM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15354 Pieces
- Scheda dati:
- FQB630TM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQB630TM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQB630TM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 78W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQB630TM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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