SVD5803NT4G
SVD5803NT4G
Modello di prodotti:
SVD5803NT4G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19825 Pieces
Scheda dati:
SVD5803NT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5.7 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:NVD5803NT4G
NVD5803NT4G-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:36 Weeks
codice articolo del costruttore:SVD5803NT4G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 85A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

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