Acquistare IXFT50N85XHV con BYCHPS
Acquista con garanzia
 
		| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 4mA | 
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V | 
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-268 | 
| Serie: | HiPerFET™ | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 105 mOhm @ 500mA, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 890W (Tc) | 
| imballaggio: | Tube | 
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Surface Mount | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks | 
| codice articolo del costruttore: | IXFT50N85XHV | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4480pF @ 25V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 152nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Caratteristica FET: | - | 
| Descrizione espansione: | N-Channel 850V 50A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268 | 
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 850V | 
| Descrizione: | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |