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MTD10N10ELT4
- Modello di prodotti:
- MTD10N10ELT4
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 15910 Pieces
- Scheda dati:
- MTD10N10ELT4.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MTD10N10ELT4, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MTD10N10ELT4 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 220 mOhm @ 5A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.75W (Ta), 40W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | MTD10N10ELT4OSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MTD10N10ELT4 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1040pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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