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FQB32N12V2TM
- Modello di prodotti:
- FQB32N12V2TM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15671 Pieces
- Scheda dati:
- FQB32N12V2TM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQB32N12V2TM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQB32N12V2TM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQB32N12V2TM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1860pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 53nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 120V 32A (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 120V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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