Acquistare IPD031N03M G con BYCHPS
Acquista con garanzia
IPD031N03M G
- Modello di prodotti:
- IPD031N03M G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19532 Pieces
- Scheda dati:
- IPD031N03M G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPD031N03M G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPD031N03M G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD031N03M G-ND IPD031N03M GINTR SP000313126 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD031N03M G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5300pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 51nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 90A (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD031N03M G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTB4302G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | Inchiesta |
 |
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 | Inchiesta |
|
IPD031N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD031N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 | Inchiesta |
 |
SI4888DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Inchiesta |
|
IPD031N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD036N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD038N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD035N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD038N04NGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog