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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRFP23N50LPBF
IRFP23N50LPBF
IRFP23N50LPBF
Modello di prodotti:
IRFP23N50LPBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14379 Pieces
Scheda dati:
IRFP23N50LPBF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:235 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max):370W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:*IRFP23N50LPBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFP23N50LPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 23A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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