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MTB50P03HDLT4G
- Modello di prodotti:
- MTB50P03HDLT4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16437 Pieces
- Scheda dati:
- MTB50P03HDLT4G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MTB50P03HDLT4G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MTB50P03HDLT4G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±15V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 25A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | MTB50P03HDLT4GOS MTB50P03HDLT4GOS-ND MTB50P03HDLT4GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MTB50P03HDLT4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MTB50P03HDLT4G
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