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SPI35N10
- Modello di prodotti:
- SPI35N10
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19454 Pieces
- Scheda dati:
- SPI35N10.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPI35N10, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPI35N10 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3-1 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 44 mOhm @ 26.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | SP000013852 SPI35N10X |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPI35N10 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1570pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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