FDP8870
Modello di prodotti:
FDP8870
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14158 Pieces
Scheda dati:
1.FDP8870.pdf2.FDP8870.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:4.1 mOhm @ 35A, 10V
Dissipazione di potenza (max):160W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDP8870
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:132nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 156A (Tc)
Email:[email protected]

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