Acquistare SPU30P06P con BYCHPS
Acquista con garanzia
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1.7mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 75 mOhm @ 21.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | SP000012844 SPU30P06P-ND SPU30P06PIN SPU30P06PX SPU30P06PXK |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SPU30P06P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1535pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 60V 30A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 30A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |