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MMDF1N05ER2G
- Modello di prodotti:
- MMDF1N05ER2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19598 Pieces
- Scheda dati:
- MMDF1N05ER2G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MMDF1N05ER2G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MMDF1N05ER2G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | MMDF1N05ER2GOS MMDF1N05ER2GOS-ND MMDF1N05ER2GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | MMDF1N05ER2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 50V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A |
| Email: | [email protected] |
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