FDR8702H
Modello di prodotti:
FDR8702H
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19776 Pieces
Scheda dati:
FDR8702H.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-8
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Potenza - Max:800mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Gull Wing
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDR8702H
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A, 2.6A
Email:[email protected]

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