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NTGD3148NT1G
- Modello di prodotti:
- NTGD3148NT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15647 Pieces
- Scheda dati:
- NTGD3148NT1G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTGD3148NT1G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTGD3148NT1G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 900mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | NTGD3148NT1G-ND NTGD3148NT1GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTGD3148NT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 900mW Surface Mount 6-TSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A |
| Email: | [email protected] |
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