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LN60A01EP-LF
- Modello di prodotti:
- LN60A01EP-LF
- fabbricante:
- MPS (Monolithic Power Systems)
- Descrizione:
- MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14907 Pieces
- Scheda dati:
- LN60A01EP-LF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per LN60A01EP-LF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per LN60A01EP-LF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 Ohm @ 10mA, 10V |
| Potenza - Max: | 1.3W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura di esercizio: | -20°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | LN60A01EP-LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 3 N-Channel, Common Gate |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W Through Hole 8-PDIP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LN60A01EP-LF
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