LN60A01ES-LF-Z
Modello di prodotti:
LN60A01ES-LF-Z
fabbricante:
MPS (Monolithic Power Systems)
Descrizione:
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12753 Pieces
Scheda dati:
LN60A01ES-LF-Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:190 Ohm @ 10mA, 10V
Potenza - Max:1.3W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-20°C ~ 125°C (TJ)
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:LN60A01ES-LF-Z
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:3 N-Channel, Common Gate
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80mA
Email:[email protected]

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