PMDXB950UPE
PMDXB950UPE
Modello di prodotti:
PMDXB950UPE
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19798 Pieces
Scheda dati:
PMDXB950UPE.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:950mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN (1.1x1)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Potenza - Max:265mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-XFDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-1471-2
568-10942-2
568-10942-2-ND
934067656147
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:PMDXB950UPE
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:43pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:500mA
Email:[email protected]

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