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IXTU08N100P
- Modello di prodotti:
- IXTU08N100P
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14794 Pieces
- Scheda dati:
- IXTU08N100P.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXTU08N100P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) Through Hole TO-251 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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