IXTU06N120P
IXTU06N120P
Modello di prodotti:
IXTU06N120P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19736 Pieces
Scheda dati:
IXTU06N120P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTU06N120P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 600mA (Tc) Through Hole TO-251
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:600mA (Tc)
Email:[email protected]

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