Acquistare IXTU05N100 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXTU05N100
- Modello di prodotti:
- IXTU05N100
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19603 Pieces
- Scheda dati:
- IXTU05N100.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXTU05N100, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTU05N100 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-251 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 40W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXTU05N100 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 260pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 750mA (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 750mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXTU05N100
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
FDD8453LZ_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 50A DPAK | Inchiesta |
 |
IRFS52N15DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | Inchiesta |
 |
IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | Inchiesta |
 |
DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 43A TO252 | Inchiesta |
|
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | Inchiesta |
 |
STP90NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220 | Inchiesta |
 |
IXFP4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3 | Inchiesta |
|
IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | Inchiesta |
|
IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | Inchiesta |
|
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | Inchiesta |
 |
SI7121ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8 | Inchiesta |
 |
5HP01M-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3 | Inchiesta |
 |
IRFP32N50KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC | Inchiesta |
 |
IXTT52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 | Inchiesta |
 |
IRF7822PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | Inchiesta |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | Inchiesta |
 |
IRF6720S2TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET | Inchiesta |
|
IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog