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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTQ32N65X
IXTQ32N65X
IXTQ32N65X
Modello di prodotti:
IXTQ32N65X
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18704 Pieces
Scheda dati:
IXTQ32N65X.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:135 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTQ32N65X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2205pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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