IXTQ36N50P
IXTQ36N50P
Modello di prodotti:
IXTQ36N50P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12732 Pieces
Scheda dati:
IXTQ36N50P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):540W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTQ36N50P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 36A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

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