FDZ209N
Modello di prodotti:
FDZ209N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13744 Pieces
Scheda dati:
FDZ209N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:12-BGA (2x2.5)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 4A, 5V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:12-WFBGA
Altri nomi:FDZ209N-ND
FDZ209NTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDZ209N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:657pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 12-BGA (2x2.5)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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