IRL60S216
IRL60S216
Modello di prodotti:
IRL60S216
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 195A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14514 Pieces
Scheda dati:
IRL60S216.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.95 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IRL60S216TR
SP001573906
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IRL60S216
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:255nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 195A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:195A (Tc)
Email:[email protected]

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