IRL60HS118
IRL60HS118
Modello di prodotti:
IRL60HS118
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12905 Pieces
Scheda dati:
IRL60HS118.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 10µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-PQFN (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:17 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):11.5W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-VDFN Exposed Pad
Altri nomi:IRL60HS118TR
SP001592258
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRL60HS118
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 18.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18.5A (Tc)
Email:[email protected]

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