IRF7601TR
Modello di prodotti:
IRF7601TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19933 Pieces
Scheda dati:
IRF7601TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:700mV @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Micro8™
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Altri nomi:IRF7601DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7601TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.7A (Ta)
Email:[email protected]

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